
?一、基礎性能對比表 特性 氧化鋁陶瓷棒(Al?O?) 氮化硅陶瓷棒(Si?N?) ?密度 3.6-3.9 g/cm³ 3.1-3.3 g/cm³ ?硬度 1500-1650 HV
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在半導體制造、醫療器械、航空航天等高端領域,材料性能直接決定設備使用壽命與生產效率。氧化鋁陶瓷棒憑借其耐高溫、抗腐蝕、高絕緣等特性,成為替代傳統金屬材料的理想
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在誤差不超過頭發絲直徑1/50的精密制造領域,氧化鋁陶瓷棒的品質直接關乎高端設備性能。重慶及鋒科技通過獨創的「梯度燒結工藝」,將產品良品率提升至99.6%,成為ASML、邁瑞
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在半導體晶圓制造車間里,一臺光刻機正以納米級精度雕刻著芯片電路。支撐其核心部件的,是一根看似普通卻暗藏玄機的陶瓷棒——200毫米長度誤差不超過2微米,相當于
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半導體陶瓷結構件在半導體芯片制造中扮演著至關重要的角色,其獨特性能使其成為多個關鍵工藝環節的“核心支撐”。以下是其具體作用及影響:
1. 高溫工藝的穩定支撐

半導體陶瓷結構件在半導體芯片制造中的性能優勢,使其在多個關鍵環節中超越了傳統的金屬和塑料材料。以下是具體對比分析: 1. 耐高溫性能 陶瓷:氮化硅(Si?N?)和氧化
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半導體陶瓷結構件在半導體芯片制造中扮演著至關重要的角色,其獨特性能使其在多個關鍵工藝環節中得到廣泛應用。以下是具體應用場景及其作用: 1. 高溫工藝設備 應用
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氮化硅陶瓷在半導體芯片制造中具有一系列獨特優勢,使其成為多個關鍵工藝環節的理想材料。以下是其核心優勢及具體應用: 1. 優異的耐高溫性能 優勢:氮化硅陶瓷可耐受1
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氮化硅陶瓷在高溫應用中相較于其他材料(如氧化鋁、碳化硅、金屬和石墨)具有顯著優勢。以下是其核心優勢及具體對比: 1. 耐高溫性能 氮化硅:可耐受1600°C以上的
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氮化硅陶瓷的制造過程是一項高度精密和復雜的工藝,涉及多個步驟,從原料準備到最終產品的加工和檢測。以下是氮化硅陶瓷制造過程的詳細解析: 1. 原料準備 主要原料:高
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